SI2323CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI2323CDS-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.76 |
10+ | $0.665 |
100+ | $0.5095 |
500+ | $0.4028 |
1000+ | $0.3222 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI2323 |
SI2323CDS-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI2323CDS-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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2024/07/2
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2024/07/11
SI2323CDS-T1-GE3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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